Библиотека диссертаций Украины Полная информационная поддержка
по диссертациям Украины
  Подробная информация Каталог диссертаций Авторам Отзывы
Служба поддержки




Я ищу:
Головна / Технічні науки / Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки


Вашерук Олександр Васильович. Аналіз впливу теплових умов на структурну досконалість монокристалів кремнію і розробка теплового вузла для вирощування бездефектних зливків у промислових умовах : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Кременчуцький ун- т економіки, інформаційних технологій і управління. - Кременчук, 2006.



Анотація до роботи:

Вашерук О. В. Аналіз впливу теплових умов на структурну досконалість монокристалів кремнію і розробка теплового вузла для вирощування бездефектних злитків у промислових умовах. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06. – Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. – Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління, Кременчук, 2006.

Дисертаційна робота присвячена визначенню теплових умов ростової системи, що дозволяють вирощувати бездефектні монокристали кремнію діаметром 200 мм, та їх реалізація шляхом розробки теплового вузла з відповідною науково - обґрунтованою геометрією.

Зроблено аналіз механізму формування теплових умов у ростовій установці вирощування монокристалів кремнію методом Чохральського. Визначено вплив теплових умов на щільність мікродефектів і нерівномірність розподілу кисню в монокристалах кремнію.

Розроблено модель, що пов'язує теплові умови з мікродефектами і киснем у монокристалі кремнію. На основі цієї моделі проведено параметричні дослідження й отримано нові результати, що визначають закономірності впливу теплових екранів і властивостей конструкційних матеріалів на розподіл кисню і щільність мікродефектів у монокристалі кремнію. Визначено систему теплових екранів і кутові коефіцієнти , що визначають значення ефективного випромінювання з поверхонь у зоні теплового вузла. Розроблено конструкцію теплового вузла, що забезпечує формування теплових умов для вирощування монокристалів кремнію діаметром 200 мм із щільністю мікродефектів, що не перевищує по довжині злитка 5 дефсм-2 і нерівномірністю розподілу кисню, що не перевищує .

Розроблено і впроваджено пристрій, що вимірює щільність мікродефектів на поверхні пластини монокристалу.

Публікації автора:

  1. Вашерук А. В. Вариант построения модели теплового узла выращивания монокристаллов методом Чохральского // Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ.– 2002. - №1(1). - С. 47-48.

  2. Вашерук А. В., Кротюк И. Г. Температурные поля на границе раздела двух фаз в процессе выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского // Вісник технологічного університету Поділля. – Хмельницький, 2003, - №3, Т.2. – С. 146 – 148.

  3. Мурашко А.Г., Міхальчук В.І., Вашерук А.В. Визначення оптимальних теплових умов і температурних градієнтів монокристалів кремнію великого діаметру // Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2003. -№ 2(3). – С. 30-34.

  4. Оксанич А.П., Вашерук А.В. Анализ процесса теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского с применением математического моделирования // Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ.– 2004. -№ 1-2(4-5). – С. 113-116.

  5. Вашерук А. В., Роик Н. Н. Анализ условий выращивания бездислокационных слитков кремния диаметром 200 мм методом Чохральского // Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ.– 2004. -
    № 1-2(7-8). – С. 71-75.

  6. Притчин С. Э.,Вашерук А. В., Роик В. В. Идентификация параметров математической модели примеси кислорода в расплаве кремния // Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. -2004. -
    № 3(6). – С. 60-62.

  7. A.P.Oksanich, S.E.Pritchin, A.V.Vasheruk. Mathematic Modeling of Oxygen Distribution Mechanism in Si ingots during growing processes // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. – 2004. –Vol.7, № 3. – Р. 236-239.

  8. Оксанич А.П., Притчин С.Э., Вашерук А.В. Анализ процессов тепломассопереноса при выращивании слитков кремния с учетом тепловых и конструкционных параметров ростовых установок // Радиоэлектроника и информатика. – 2005. - № 1(30). – С. 40-47.

  9. Оксанич А.П., Притчин С.Э., Кротюк И.Г., Вашерук А.В. Моделирование процесса образования микродефектов при выращивании слитков кремния диаметром 200 мм // Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ.– 2005. - № 3(9). – С. 5-11.

  10. Оксанич А.П., Вашерук А.В. Информационная модель формирования тепловых условий в установках выращивания слитков кремния диаметром 200 мм // Вісник державного університету інформаційно – комунікаційних технологій. – 2005. – Т.3, № 3-4. –
    С. 121-124.

  11. Оксанич А.П., Притчин С.Э. Вашерук А.В. Влияние тепловых условий выращивания монокристаллов кремния на образование свирлевых дефектов. Разработка метода и средств определения их плотности // Системні технології. Регіональний міжвузівський збірник наукових праць. – Випуск 6(41). – Дніпропетровськ, 2005. – С.54-68.

  12. Вашерук А. В. Информационно – аналитические системы в построении моделей процесса выращивания кремния методом Чохральского // Сб. тезисов по материалам международной научно – технической конференции “Проблемы математического моделирования современных технологий ПММ – 2002”. – Хмельницкий: ТУП, 2002. – С. 20.

  13. Оксанич А.П., Притчин С.Э. Вашерук А.В. Моделирование механизма распределения кислорода в технологии выращивания монокристаллов кремния из расплава // Сб. тезисов по материалам 10-й Юбилейной международной научной конференции “Теория и техника передачи, приема и обработки информации”. – Харьков: ХНУРЭ. – 2004. – С. 331-332.