Анотація до роботи:

Зуєв С.А. Особливості роботи арсенід-галієвих польових транзисторів шоткі у напружених режимах. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.01 – твердотільна електроніка. – Харківський національний університет радіоелектроніки, Харків, 2007.

Дисертаційна робота присвячена чисельному дослідженню особливостей характеристик GaAs ПТШ в області входження в перенапружений режим, включаючи пробій. Створено й реалізовано нову чисельно-аналітичну модель GaAs ПТШ, що забезпечує можливість аналізу функціонування в напружених режимах. Модель базується на розв’язанні кінетичної та теплової задач із урахуванням специфіки розігріву й механізмів розсіювання носіїв у каналі, є сукупністю системи рівнянь Больцмана й Пуассона, доповненою нестаціонарним рівнянням теплопровідності та моделями контактів метал-напівпровідник. Система вирішується методом макрочастинок. Показано адекватність моделі. Проведено чисельні дослідження впливу різних режимних і конструктивних параметрів ПТШ на його характеристики в номінальному й напруженому режимах роботи ПТШ аж до його теплового пробою.

Публікації автора:

1. Зуев С.А., Шадрин А.А., Старостенко В.В. Модель расчета полевых транзисторов на GaAs субмикронных размеров // Радиотехника. – Харьков: Всеукр. межвед. научн.-техн. Сборник. – 2001. – Вып.121. – С.146–152.

1.а. Zuev S.A., Starostenko V.V., Shadrin A.A. A Calculation Model for Submicron Field-Effect Transistors Based on GaAs // Telecommunications and Radio Engineering. – 2002. – 58(7-8). – P.90–98.

2. Зуев С.А., Шадрин А.А. Исследование свойств СВЧ полевого транзистора на GaAs, связанных с междолинными переходами носителей // Радиоэлектроника и информатика. – Харьков. – 2001. – №2. – С.19–20.

3. Зуев С.А. Оценка границы баллистического переноса носителей в приборах субмикронных размеров на GaAs // Вісник ХНУ ім. В.Н.Каразіна. – 2002. – Вип.1, № 544. – С.148–152.

3.а. Zuev S.A., Starostenko V.V., Shadrin A.A. Boundary Estimation of Ballistic Transport in the GaAs Devices with Submicron Dimensions // Telecommunications and Radio Engineering. – 2002. – 57(8-9). – P.99–104.

4. Зуев С.А., Старостенко В.В., Шадрин А.А., Терещенко В.Ю. Модуляционные характеристики СВЧ полевого транзистора с затвором Шоттки // Радиотехника. – Харьков: Всеукр. межвед. научн.-техн. сборник. – 2002. – Вып.129. – С.107–109.

5. Зуев С.А., Старостенко В.В., Шадрин А.А. Дельта-импульс тока в канале полупроводниковой структуры // Вісник ХНУ ім. В.Н. Каразіна. – 2002. – Вип.2, № 570. – С.70–73.

6. Зуев С.А., Старостенко В.В., Таран Е.П., Чурюмов Г.И., Ахрамович Л.Н. Влияние толщины металлизации на стойкость интегральных микросхем при воздействии электромагнитных полей // Прикладная радиоэлектроника. – Харьков. – 2003. – Т.2, №1. – С.88–92.

7. Зуев С.А., Терещенко В.Ю., Старостенко В.В., Шадрин А.А. Влияние тепловых процессов на дрейфовые характеристики полупроводниковых структур // Радиофизика и электроника. – 2004. – Т.9, №1. – С.271–274.

8.а. Zuev S.A., Tereshchenko V.Yu., Starostenko V.V. and Shadrin A.A.
An Influence of Heat Processes on the Drift Characteristics of Semiconductor Structures // Telecommunications and Radio Engineering. – 2003. – 59(10-12). – P.133–137.

8. Зуев С.А., Таран Е.П., Шадрин А.А., Старостенко В.В., Чурюмов Г.И., Терещенко В.Ю. Исследование тепловых режимов работы ПТШ при воздействии короткого импульса напряжения большой амплитуды // Прикладная радиоэлектроника. – Харьков. – 2003. – Т.2, №2. – С.164–168.

9. Зуев С.А., Старостенко В.В., Терещенко В.Ю., Чурюмов Г.И.,
   Шадрин А.А. Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Ч.1 // Радиоэлектроника и информатика. – Харьков. – 2004. – №3. – С.47–53.

10. Зуев С.А., Старостенко В.В., Терещенко В.Ю., Чурюмов Г.И.,
    Шадрин А.А. Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Ч.2 // Радиоэлектроника и информатика. –Харьков.– 2004. – №4. – С.31–33.

11. Зуев С.А., Григорьев Е.В., Мазинов А.С., Старостенко В.В., Чурюмов Г.И., Унжаков Д.А. Воздействие импульсных электромагнитных полей на бытовые приборы с жидкокристаллическими экранами // Прикладная радиоэлектроника. – Харьков. – 2005. – Т.4, №2. – С.232–235.

12. Зуев С.А., Старостенко В.В., Таран Е.П., Чурюмов Г.И. Влияние параметров импульсных электромагнитных полей на стойкость проводящих микроструктурных элементов интегральных схем // Прикладная радиоэлектроника. – Харьков. – 2005. – Т.4, №4. – С.447–450.

13. Зуев С.А., Старостенко В.В., Терещенко В.Ю., Чурюмов Г.И.,
    Унжаков Д.А., Григорьев Е.В. Лавинный пробой в полевых транзисторах с затвором Шоттки на GaAs по результатам численного моделирования // Прикладная радиоэлектроника. – Харьков. – 2005. – Т.4, №3. – С.353–356.

14. Зуев С.А., Грибский М.П., Григорьев Е.В., Войтович А.К., Старостенко В.В., Чурюмов Г.И. Воздействие импульсных электромагнитных полей на современные микроконтроллеры // Прикладная радиоэлектроника. – Харьков. – 2006. – Т.5, №2. – С.294–297.

15. Зуев С.А., Шадрин А.А. Кинематика носителей в прямозонных полупроводниках // Симферопольский госуниверситет. – Симферополь, 1996. – 16 с. – Рус. – Деп. в ГНТБ Украины 29.04.96. №1073 – Ук96.

16. Зуев С.А., Шадрин А.А. Модель Монте-Карло для исследования шумовых и усилительных характеристик полевых СВЧ-транзисторов // Материалы докладов 6-й Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». – Севастополь: Вебер. – 1996. – С.337–339.

17. Zuev S.A., Shadrin A.A. Monte Carlo model for a research of noise and amplifiers characteristics of microwaves field transistor // Proceedings of the International School-Conference for Young Scientists “Solid State Physics: Fundamentals & Applications”.–Katsyveli.Crimea (Ukraine).–1997.– P.37–39.

18. Зуев С.А., Шадрин А.А. Модель Монте-Карло для исследования шумовых и усилительных характеристик полевых СВЧ транзисторов // Материалы докладов Международного научно-технического семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология)» – Москва: МНТОРЭС им. А.С. Попова. – 1997. – С.81–85.

19. Зуев С.А., Шадрин А.А. Численный анализ шумов полевого транзистора на GaAs с затвором Шоттки на частотах порядка 100ГГц // Материалы докладов Международного научно-технического семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология)» – Москва: МНТОРЭС им. А.С. Попова. – 1998. – С.50–54.

20. Зуев С.А., Шадрин А.А. Исследование свойств СВЧ полевого транзистора на GaAs, связанных с междолинными переходами носителей // Материалы докладов 8-й Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». – Севастополь: Вебер. – 1998. – Т.1.– С.156–157.

21. Зуев С.А., Гордиенко Ю.Е., Старостенко В.В., Терещенко В.Ю., Шадрин А.А., Осадчук А.Е. Критериальная зависимость Вунша-Белла для ПТШ на кремнии // 15-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2005). – Материалы конференции. – Севастополь: Вебер. – 2005. – Т.2. – С.697–698.

22. Зуев С.А., Борисов А.А., Старостенко В.В., Григорьев Е.В.,
    Мазинов А.С., Чурюмов Г.И., Унжаков Д.А. Влияние мощных импульсных электромагнитных полей на электронные бытовые приборы // 15-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2005). Материалы конференции. – Севастополь: Вебер. – 2005. – Т.2. – С.699–700.

23. Зуев С.А., Гордиенко Ю.Е., Старостенко В.В., Терещенко В.Ю., Шадрин А.А. Особенности лавинного пробоя в кремниевых ПТШ // 2-й Международный форум «Прикладная радиоэлектроника. Состояние и перспективы развития» (МРФ). – Харьков. – 2005. – Т5. – С.95–97.

24. Зуев С.А., Ахрамович Л.Н., Старостенко В.В., Терещенко В.Ю., Чурюмов Г.И., Борисов А.А., Петров А.М. Влияние неоднородности в активной области ПТШ на ВАХ и критериальную зависимость Вунша-Белла // 16-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2006). Материалы конференции. – Севастополь: Вебер. – 2006. – Т.2. – С.699–700.

25. Зуев С.А., Ахрамович Л.Н., Грибский М.П., Григорьев Е.В., Старостенко В.В., Чурюмов Г.И., Борисов А.А., Петров А.М. Воздействие импульсных электромагнитных полей на интегральные микросхемы памяти // 16-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2006). Материалы конференции. – Севастополь: Вебер. – 2006. – Т.2. – С.699–700.