Библиотека диссертаций Украины Полная информационная поддержка
по диссертациям Украины
  Подробная информация Каталог диссертаций Авторам Отзывы
Служба поддержки




Я ищу:
Головна / Фізико-математичні науки / Теоретична фізика


Сахнюк Василь Євгенович. Струмові стани в надпровідних композиціях з просторовою неоднорідністю структури : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.02 / Волинський держ. ун-т ім. Лесі Українки. — Луцьк, 2006. — 148арк. — Бібліогр.: арк. 129-138.



Анотація до роботи:

Сахнюк В. Є. Струмові стани в надпровідних композиціях з просторовою неоднорідністю структури. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.02 – теоретична фізика. Інститут фізики конденсованих систем Національної академії наук України, Львів, 2007.

Дисертаційна робота присвячена теоретичному дослідженню просторово неоднорідних надпровідних структур в області температур, близьких до критичної. Для знаходження невідомої сталої в розв’язку рівняння Гінзбурга-Ландау запропоновано новий метод, названий методом квазіортогональності до асимптотики. Проаналізовано вплив струму на просторову зміну параметра впорядкування. Враховуючи дію струму як розпаровуючого чинника, досліджено рівноважні струмові стани в надпровідних контактах таких типів: SNS при товщині нормального прошарку порядку довжини когерентності, SIS в широкому інтервалі значень коефіцієнта проходження електронів крізь плівку діелектрика та за наявності немагнітних домішок, SNINS при довільній товщині нормального прошарку та прозорості діелектрика. Встановлено, що зменшення товщини нормального прошарку або збільшення коефіцієнта проходження електронів крізь плівку діелектрика призводить до ускладнення залежності струму від різниці фаз між берегами контакту. Для SNS-контакту з’ясовано, як відбувається неперервний перехід від однієї характерної довжини , на якій послаблюється струм при збільшенні товщини нормального прошарку у чистому контакті, до іншої - , притаманної гранично брудному контакту, в залежності від довжини l вільного пробігу електронів.